1. 可控硅中频炉故障率很高,逆变侧可控硅经常被击穿,电容器需要经常性的更换,电抗器线圈经常烧毁,每年材料费直接损失达数千元,另外在修理过程中,钢水冷却凝固,修好后重新熔炼,造成重复用电,浪费了电能,影响产量,直接造成经济损失。
2. 可控硅中频炉在使用一年后,就会出现水路堵塞、结垢,工作时发现水路不通,就必须停车处理;而在处理过程中,同样存在重复用电的问题,导致电能和产量的损失。
3. 可控硅中频炉是并联谐振电路,也是电流谐振电路,它会使铜排、电缆、感应圈温度急剧升高,冷却水池需要经常排热水加冷水来保持水温在35度左右,以保证熔炼的正常进行。
   而IGBT晶体管中频炉是串联谐振电路,也是电压谐振电路,它的谐振电压高、电流小, 铜排、电缆、感应圈温度升高有限,冷却水池无需频繁加入冷水降温,节约了大量的水资源。
4. 目前,可控硅中频炉生产厂家为了迎合用户的要求,要产量、要速度,采用将感应圈匝数减少,增大电源功率,增大变压器容量, 导致在同样的0.5吨300千瓦可控硅中频炉,每熔炼一炉钢水,它的功率必须达到400~450千瓦。
   IGBT晶体管中频炉只需使用315KVA变压器即可正常工作; 如果可控硅中频炉使用同样容量的变压器(315KVA),就必须使用强制风冷,或者将变压器放入冷却水池中,否则变压器将会被烧毁。
   变压器每千伏安基本电费18元,相当于每月增加1800元电费,每年增加电费达到21600元。

可控硅中频炉与IGBT中频炉经济效益的比较表：